用於矽太陽能電池應用的簡單且多功能的紫外線臭氧氧化物

半導體表面清潔有時被認為成本高昂，但長期以來被認為是決定最終半導體裝置性能和產量的關鍵。 在這篇文章中，我們研究了透過簡單的紫外線臭氧製程進行晶體矽表面清潔的有效性，並與矽表面的獨特方法。儘管很簡單，但紫外線臭氧清潔可實現卓越的表面鈍化質量，可與高質量 RCA 清潔相媲美。當用作堆疊電介質時，紫外線臭氧氧化物被氧化鋁覆蓋——紫外線臭氧id="-compounda" 的厚度在確定氧化物href="https://www.sciencedirect.com/topics/engineering/passivation" id="">鈍化品質。 在所有處理時間中，15 分鐘的紫外線臭氧處理可實現出色的鈍化質量，實現 3ms 的有效載流子壽命和 5fA/cm²的飽和電流密度。此外，我們提出了一種簡單有效的技術來提取電子/電洞捕獲截面的值，以便從已測量的飽和電流密度、界面陷阱密度和總固定電荷的表面複合參數中分析界面鈍化質量，而不是通過以下技術對單獨製備的金屬絕緣半導體（MIS）樣品進行測量：頻率相關的平行電導或深能級瞬態光譜。