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用於監測矽中近表面摻雜 (NSD) 的小訊號非接觸式 ac-SPV 方法最近已被引入商業診斷工具中。 具有亞微米穿透深度的高斬波頻率光用於產生小的 SPV 訊號，並且該訊號使用透明拾取電極進行監測。 此技術的優點是可以進行快速、無損耗的全晶圓測量。 在某些條件下，此 ac-SPV 訊號的幅度與耗盡層電容成反比。 如果耗盡層勢壘高度已知，則可以計算耗盡層中電離施主或受主的濃度。 以 ac-SPV 方法進行 NSD 測量通常針對高達約 1016 cm−3 的摻雜濃度。 直到最近，這個範圍才擴展到 1018 cm−3，使其成為監測低劑量和中劑量注入的非常有吸引力的技術，特別是對於注入均勻性和活化效率的晶圓尺度映射。 此外，SPV 訊號的頻率依賴性為評估塊體和外延晶圓近表面區域的少數載子壽命提供了一種方法。