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用於監測矽中近表面摻雜 (NSD) 的小訊號非接觸式 ac-SPV 方法最近已被引入商業診斷工具中。 此技術的優點是可以進行快速、無損耗的全晶圓測量。 具有亞微米穿透深度的高斬波頻率光用於產生小的 SPV 訊號，並且該訊號使用透明拾取電極進行監測。 在某些條件下，此 ac-SPV 訊號的幅度與耗盡層電容成反比。 如果耗盡層勢壘高度已知，則可以計算耗盡層中電離施主或受主的濃度。 以 ac-SPV 方法進行 NSD 測量通常在摻雜濃度高達約 1016 cm-3 時進行。 直到最近，這個範圍才擴展到 1018 cm-3，使其成為一種非常有吸引力的技術，用於監測低劑量和中劑量注入，特別是用於注入均勻性和注入激活效率的晶圓級映射。 本文解決了將此技術擴展到 IC 加工中生產晶圓監控的三個關鍵問題，即：1）氧化物反射率的定量校正，2）將 SPV 探測位置縮小到 100 微米以下的基本和實際問題，以及 3）該技術對注入劑量微小變化的敏感性。