歡迎洽詢產品資訊與報價
針對您的研究需求，提供專業諮詢與客製化解決方案
眾所周知，在濕蝕刻、反應離子蝕刻、金屬接觸濺鍍沉積和氬離子束蝕刻等加工步驟之後，氫氣會導致硼受體鈍化。 先前對這種效應的研究採用了 CV 分析、擴散電阻分析和 SIMS 測量，對氘擴散的樣品進行測量。 這些方法要麼破壞矽表面，要麼需要沉積金屬接觸。 在本研究中，我們使用了非接觸式小訊號交流表面光電壓技術，目前可在商業診斷工具中使用。 同時測量半導體表面勢壘 Vsb 和表面耗盡層電容 CD，可得出距 Si 表面或 Si/SiO2界面亞微米距離內硼受主的濃度。 事實證明，該技術在監測低劑量注入以及氧化晶圓的近表面摻雜方面非常成功。 在裸矽片中，此方法有時顯示表面硼濃度明顯低於本體值。 我們在用於製備氫封端表面的化學清洗後的晶片中發現了這種行為。 150°C 至 200°C 溫度下的熱退火可重新活化硼摻雜劑。 我們將討論各種清潔和退火條件對近表面區域硼受體鈍化和再活化的影響。 透過非接觸式 SPV 技術獲得的結果與先前的研究非常吻合。 它們也為可靠測量硼濃度提供了基礎，不受氫鈍化的干擾。