使用內嵌 PECVD AlOx/SiNx 堆疊對工業高效矽片太陽能電池進行最先進的硼發射體表面鈍化

發表於: IEEE Photovoltaic Specialists Conference PVSC), 2012

年: 2012

作者: S. Duttagupta, Fen Lin, K.D. Shetty, M. Wilson, Fa-Jun Ma, Jiaji Lin, A.G. Aberle, B. Hoex

aluminium compoundscurrent densityelemental semiconductorspassivationplasma CVDshort-circuit currentsSilicon (Si)silicon compoundssolar cells

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經 Al2O_x/SiN_{+ 硼發射極的極低射極飽和電流密度 (J_0e> 硼發射極的極低射極飽和電流密度 (J_0e) 值分別為 6 和 45 fsubid>堆疊在工業等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 反應器中沉積。 Al2O_x 薄膜的熱活化是在標準工業快速燒成爐中進行的，使得所開發的鈍化疊層在工業上可行。對於紋理 p⁺ 發射器，J_0e 值比平面發射器高 1.5 - 2 倍。這種出色的表面鈍化歸功於 -(3-6)×10¹² cm^-2 的高負電荷密度以及 ℒ10¹¹ eV^-1cm^-2 eV^-1cm^-2 的低界面缺陷。假設短路電流密度為 40 mA/cm² 和理想二極體定律，80 Ω/sq 射極的 J_0e 結果表示 25°C 時 1-sun 開路電壓限制為 736 mV。}