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空氣中電暈充電與使用接觸電位差探頭的非接觸式氧化物電荷測量相結合，為快速監測電子隧道特性提供了獨特的可能性，而無需準備 MOS 電容器。 還發現，隧道範圍內的薄氧化物的電暈充電對於產生應力引起的漏電流非常有效。 在這項工作中，我們證明了電暈應力引起的漏電流大小對閘極氧化物完整性缺陷密度的敏感度。 實驗結果涵蓋了三種最常見的柵極氧化層完整性缺陷，即：1-重金屬（Fe.Cu）在1×1010至1×1011原子/cm3的實際重要低濃度範圍內引起的缺陷：2-源自界面粗糙度的缺陷和3-與晶體起源顆粒相關的缺陷。