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隨著產業進入 65 奈米和 45 奈米設備的新技術節點，植入監視器對於維持設備性能的一致性變得更加重要。 常見的做法是使用具有薄層電阻的 4 點探針和熱波技術來處理植入物損壞。 然而，這兩種技術對靈敏度有限制。 由於需要監測離子注入過程中較小的變化，因此需要一種新的、更好的注入監測方法。
