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使用表面電荷分析儀 (SCP) 方法，在來自各種 IC 製造工藝的矽片中研究了透過與污染物配對和硼補償而導致的硼失活。 由於 HF 化學中的貴金屬污染而形成的對的解離能與貴金屬無關，並且與 B-H 對之一相對應。 這顯示金屬並非直接導致摻雜變化，而是在 HF 清洗過程中增強了氫對矽的污染。 SC1 清潔（氫氧化銨 - 過氧化物混合物）、RCA 清潔（RCA=SC1+SC2，其中 SC2 是鹽酸 - 過氧化物混合物）和等離子蝕刻發生期間的氫化作用是透過 B–H 形成因硼失活的硼化。 在熱氧化過程中引入矽的銅污染透過形成穩定的絡合物來補償初始硼摻雜。
