透過錫注入實現表面應變 Ge-Cz 晶圓，實現高電子和電洞遷移率

Si 晶圓上的 Ge-epi 包含 >1E7/cm2 TDD，這會降低接面洩漏並可能降低遷移率。 因此，我們研究了使用 Ge-Cz 晶圓作為不含 Ge-epi TDD 的替代方案，並觀察到高達 16% 的表面 Sn 注入可引起 XRD 測量的表面拉伸應變 Ge，將頂部 30nm n 阱表面層遷移率 (μe) 提高 2.5 倍，從 500cm²/Vs，但表面拉伸應變-Ge 將頂部 30nm p 阱表面層遷移率 (μh) 降低了 73%，從 3000cm²/Vs 降低到 800cm^{2/Vssup 474降低到 480cm2/Vs。}