外延 SiC 缺陷的表面電壓和 μPCD 映射

外延 SiC 上的開爾文探針表面電壓映射 (SVM)，透過電暈充電進入深度耗盡狀態，揭示了 SV 缺陷，表現為表面電壓降低的斑點。 對於 150μm 厚的外延層，SV 缺陷與微波檢測光電導衰減 μPCD 所揭示的低載子壽命點一致。 在光致發光影像中，這些缺陷被視為三角形黑點，在文獻中被描述為與堆疊層錯相關的三角形缺陷。 對於薄外延層 (2.2μm)，缺陷僅在 SVM 中可見。 在這種情況下，使用開爾文力顯微鏡執行的高解析度 SVM 識別出三角形缺陷形狀。 提出了兩種機制來解決 SV 缺陷。 對於表現出大幅度快速下降電壓的高強度缺陷，可能的機制是與缺陷相關的洩漏；引起電暈表面離子的中和。 低強度缺陷可以透過考慮深能階發射來解釋。 後一種機制已使用類似於等溫 DLTS 和拉普拉斯 DLTS 的 SV 瞬態和譜分析進行了研究。