使用空間原子層沉積沉積熱穩定氧化鉬電洞選擇性接觸

亞化學計量的 MoO_x 已被確定為 c-Si 太陽能電池電洞選擇性接觸中 p 型 a-Si:H 的可行替代品。 許多研究小組觀察到，由於 MoO_x 中添加了 O 空位，因此在標準接觸形成退火過程中，MoO_x 基接觸的電性能有明顯下降的趨勢。 這些 O 空位會在帶隙內產生缺陷能階，並降低 MoO_x 的功函數，進而影響經由接觸的電洞傳導效率。 在本文中，我們透過紫外線臭氧處理在 p 型 c-Si 上生長了薄的隧道 SiO_x 層，然後使用空間原子層沉積沉積了薄的（~5 nm）MoO_x 層。 我們證明，使用高功函數 (5.01 eV) 鎳作為鋁觸點的替代品，不僅有助於高效的電洞傳輸，而且可以在高達 300°C 的溫度下形成熱穩定觸點，且觸點電阻率低於 10 mΩ-cm²。