使用汞柵 MOS 電容器對 0.25 μm 以下製程進行閾值電壓控制 (VT)

MOSFET 閾值電壓 (VT) 是控制 0.25 μm 以下 MOS 元件運作的最重要參數。 速度、斷態電流和有功功率等關鍵裝置效能問題取決於 VT (1)。 影響 VT 的主要因素是氧化物厚度 (Wox)、氧化物電荷 (Qox)、界面陷阱電荷 (Qit) 和通道摻雜劑分佈。 儘管基於傳統的 CV 方法讓許多人相信 CV 不能用於超薄氧化物，但本文描述了使用硬探針和高重複性汞探針測量 VT 及其成分的準確方法。