透過光調製反射測量來監測低能量離子注入過程的傾斜角和劑量率

光調製反射率測量提供了一種強大的、非接觸式、非破壞性和內聯相容的方法，具有低成本操作，用於監視器和產品晶圓上離子注入步驟的統計過程控制。 我們提供的案例研究描述如何使用光調製反射率測量 (PMR) 進行離子注入劑量、注量和傾斜角監測，並具有出色的分辨率，甚至適用於低能量離子注入製程。 這一點很重要，因為精確的摻雜劑和損傷分佈控制對於利用淺結和複雜 3D 摻雜分佈的最先進半導體製程至關重要。