超低能量 (ULE) 植入劑量和活化監測

本文介紹了新開發的技術，可在不受探針穿透影響的情況下精確測量 4pp 方塊電阻。 此外，還可以使用單一非穿透性、非破壞性和非污染性的電磁探針直接測量電活性表面摻雜劑密度 (NSURF)。 有兩種類型的 EM 探頭可用；一種用於電容-電壓 (CV) 應用，另一種用於電流-電壓 (IV) 應用。 結果發現，EM 探針 4pp 可以測量源漏擴展 (SDE) 結構和 p/n 超淺結 (USJ) 結構。 發現傳統的 4pp 僅限於約 30 至 40 nm 及更深。 劑量和薄層電阻的變化揭示了有關離子注入和退火過程的有價值的信息，這似乎是一個強大的表徵工具。