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使用非接觸式電阻率測量進行外延：表面電荷剖面儀方法
發表於:
International Symposium on High Purity Silicon
年:
1998
作者:
A. Danel, F. Tardif, G. Kamarinos, M.C. Nguyen
high purity silicon
Surface Charge Profiler (SCP)
Doping measurements
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