使用表面電荷分析儀在線監測矽外延片製造中的摻雜濃度

發表於: In-Line Methods and Monitors for Process and Yield Improvement, Santa Clara, Sept. 1999

年: 1999

作者: J.P. Tower, E. Kamieniecki, M.C. Nguyen, A. Danel

dopingSilicon (Si)Wafer manufacturingEpitaxy

表面電荷分析儀 (SCP) 已推出用於監控和開發矽外延製程。 SCP 可測量近表面摻雜濃度，並提供多種優勢，進而提高良率。首先，無損測量技術可實現線上製程監控，無需犧牲生產晶圓來進行電阻率測量。此外，全晶圓測繪功能有助於開發改進的外延生長過程並及早發現反應器問題。作為範例，我們介紹了使用 SCP 來研究桶式反應器中感受器退化的影響，並研究自動摻雜以改善摻雜劑均勻性。

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