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在成本III-V 化合物的世界中對於半導體來說，性能早在設備達到最終測試之前就開始了。 無論是為高速電子設備供電、實現高效光源，或是驅動先進的光電探測器，這些材料從最初的加工步驟就需要卓越的晶體品質。早期檢查——在外延、退火或其他關鍵生長過程之後——在實現這種品質方面發揮決定性作用。 即使此時引入的細微結構或表面缺陷也可能透過後續層升級，影響裝置效率、壽命和整體良率。 這就是為什麼現代 III-V 製造依賴快速、可靠的計量解決方案，能夠在缺陷成為代價高昂的問題之前對其進行檢測和分類。了解流程早期出現的內容是建構穩定、高效能設備的第一步。 
隨著III-V裝置結構變得更加複雜，製造商需要具有快速、可靠的缺陷監控能力的計量解決方案。 光致發光 (PL) 光譜已成為實現此目的最強大的工具之一。
PL 提供了一種非破壞性、直接且高度靈敏的方法來識別整個晶圓上的缺陷，使其成為監測化合物半導體製造中的外延層和基板的理想選擇。
此範例使用 Semilab LumIR-2300 進行測量，揭示了 InP 外延晶圓中的滑移線 - 如果不及早發現，可能會損害裝置效能的缺陷。 晶圓級 PL 映射使用高強度照明透過多波長激發來檢測滑移線缺陷。同時，測量反射以區分顆粒和表面特徵與真實的晶體缺陷。
.//1]L/conmi>您聯繫我們的此處的此處的此處的此處與我們聯絡. Semilab 辦事處。