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寬頻隙 (WBG) 半導體與傳統半導體不同：它們具有更大的帶隙，具有顯著的優勢，例如更高的功率效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的整體成本。 氮化鎵和碳化矽等複合材料具有一些特殊的優點，能夠生產先進、易於使用的功率裝置、超高頻無線電裝置等。這些案例包括用於消費性應用的充電器和適配器、電動車充電、電信、SMPS、太陽能和工業應用的電池化成的電子產品，以及用於汽車應用的車載充電和高壓到低壓 DC-DC 轉換器的電子產品。
化合物半導體實現偉大創新；然而，他們的計量需要新的解決方案，因為在使用 GaN 和 SiC 時，特定光學和電氣特性的測量至關重要。
WBG 產業的快速發展需要能夠跟上最新發展的計量解決方案。 為了實現可靠的生產、成分和缺陷、摻雜劑濃度、電學和光學質量，必須定期監測。 Semilab 為此提供了多種產品，利用各種非接觸式和非破壞性計量方法，揭示與裝置特性或效能直接相關的屬性。
我們的頂級系統可以藉助多種技術提供有關材料電阻率、薄膜厚度、成分和遷移率的準確計量數據。
例如，MBM-2201 系統的開發目的是為製造商和研究人員提供使用微波反射率的精確非接觸式測量。
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