由于功率器件需要具有高电阻率和大面积的电活性、厚n型硅层,因此它们的电特性对污染极其敏感。 如果过渡金属在器件制造所需的高温步骤期间扩散到晶圆中,则可以观察到漏电流和导通电压不受控制的增加。 此外,可能会发生电流丝状现象和电气数据的不稳定。 由于 n 基的掺杂水平较低,宇宙辐射引起的阻断电压和故障率对充当施主或受主的污染原子很敏感。 为了获得有关污染源和污染程度的信息,在每个高温步骤后都进行了污染检查。 此外,针对功率器件的典型工作条件,分析了载流子寿命对温度和注入水平的依赖性。 事实证明,这些结果对于寻找尽可能降低污染和硅缺陷密度的方法以及确保获得具有足够稳定性的良好电气数据非常重要。 © 2000 电化学协会。 保留所有权利。