外延硅上汞 (Hg) 探针肖特基电容电压 (MCV) 表面处理方法的评估

汞探针（Hg 探针）肖特基电容电压 (CV) 广泛用于硅外延层中的载流子密度和电阻率分析。 硅表面的准备对于获得高质量的 CV 测量至关重要。 目前有多种方法用于处理裸硅外延和抛光块表面，为 Hg-肖特基 CV 测量做准备。 处理方法包括湿化学处理和干处理。 通常，处理可能是测量时间和质量的限制因素。 在此评估中，对 P 型外延硅表面的多种典型处理进行了评估。 还研究了一种处理表面的新颖概念，其中涉及将硅晶片放置在暴露于热和优化环境的室中。 该预处理室称为 PTC。 对典型 P 型硅表面处理进行了基于物理的评估。