4H-SiC 外延层的载流子寿命映射和寿命研究

发布到: Materials Research Society MRS, Spring Meeting

年: 2006

作者: J.D. Caldwell, P. B. Klein, O. Glembocki, K. Hobart, F. Kub, A. Pap, T. Pavelka, A. Shrivastava, Z. Zhang, T. Sudarshan, G. Webster

carrier lifetimesilicon carbide (SiC)epilayer

通过实验和详细的载流子动力学模拟研究了测量技术和测量条件（例如注入水平、温度）对 n− 4H-SiC 外延层中测量的载流子寿命的影响，以更好地了解报告的寿命之间的差异。