n 型 In0.83Ga0.17As 中的载流子散射和弛豫动力学随温度和掺杂密度的变化

通过测量随温度变化的电子霍尔迁移率和空穴寿命随掺杂密度的变化，研究了 n 型 In_0.83Ga_0.17As 三元合金中的载流子散射和弛豫动力学。 T 温度范围内的主要散射机制 80K，80＜ T T < 120K，120＜ T T < 300 K 时，轻掺杂 In_0.83Ga_0.17As 分别表现为杂质散射、合金无序散射和声子散射，而重掺杂 In_0.83Ga_0.17As 则在整个测量温度范围内合金散射占主导地位。 通过拟合测量的温度相关载流子寿命，轻掺杂 In_0.83Ga_0.17As 中的主要载流子弛豫机制被确定为分别在 InP 和 GaAs 衬底上生长的样品的辐射复合和肖克利-雷德-霍尔效应。 重掺杂 In_0.83Ga_0.17As 的寿命低于 10 ns，并以俄歇复合为主。 最后，进行光致发光和光吸收测量，结果表明生长的轻掺杂 In_0.83Ga_0.17As 具有与晶格匹配的 In_0.53Ga_0.47As 相当的高光学质量。

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