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高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构的表征对于预测器件行为、监控和开发工艺以及提高性能非常重要。 使用汞探针应用多频电容电压 (CV) 和直流电压 (IV) 方法来评估有或没有覆盖层的 HEMT，以监测关键参数，如夹断电压、二维电子气 (2DEG) 片电荷、GaN 载流子密度分布、AlGaN 厚度以及介电常数和顶部覆盖层的性能。
