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非接触式表面电荷半导体表征
发布到:
Materials Science & Engineering B91-92 2002), 192-210
年:
2002
作者:
D.K. Schröder
Silicon (Si)
Electric measurements
Metal–insulator–semiconductor structures
Surface and interface states
Contact potential
Work function
Epitaxial silicon
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表面电压和表面光电压测量已成为重要的半导体表征技术,这主要是因为它们的非接触性质和商业设备的可用性。 这些非接触式测量技术的用途已从最初的少数载流子扩散长度测量扩展到各种半导体表征,包括表面电压、表面势垒高度、平带电压、氧化物厚度、氧化物电荷密度、
界面陷阱
密度、移动电荷密度、氧化物完整性、生成寿命、
复合寿命
和掺杂密度。 该应用范围可能会进一步扩大。 与所有表征技术一样,也存在局限性,但它们通常可以通过测量的非接触性质来补偿,从而简化测试结构的制造。
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