通过微波光电导衰减测量检测 p 型硅中的低水平铜污染

为了更好地了解铜在p型硅中的行为，采用高强度偏置光的微波光电导衰减测量方法（μ PCD）对铜的复合进行了研究。 据观察，在存在小的氧沉淀物的情况下，可以使用高强度光来激活间隙铜的沉淀。 这表明高强度光将间隙铜的电荷状态从正电变为中性，从而增强了沉淀。 沉淀遵循 Ham 动力学，导致重组率增加，即使铜浓度非常低，重组率也可以检测到。 这种现象可用于通过 μ PCD 方法检测低水平的铜污染。 此外，还观察到间隙铜的向外扩散和向内扩散可能受到外部电晕电荷的影响。 因此，表明铜原子从体硅向外扩散后不会在 Si-SiO₂ 界面上形成稳定的键。

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