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一种用于测定硅晶片中金属杂质分布的蚀刻技术已经开发出来。 用100μL HF和HNO 3 混合物的蚀刻溶液蚀刻10mm 2 和10μm深度的区域。 通过红外灯照射和真空排气将酸基质蒸发在晶片表面上。 残留在晶圆表面的金属杂质重新溶解到收集溶液中，通过电热原子吸收光谱法（ET-AAS）进行测量。 对于 Fe、Cu 和 Ni，局部蚀刻/ET-AAS 的回收率在 95-112% 范围内。 硅中 Fe、Cu 和 Ni 的检测限 (3σ) 为 1 × 10^3 原子/cm3。 为了确认其适用性，采用局部蚀刻来评估吸杂研究中金属杂质的影响以及半导体器件的电子性能。 研究发现，局部蚀刻是一种有用的样品制备技术，可用于分析硅片上特定区域的金属杂质。
