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使用氮化硅 (SiN) 在 ~1.5 Ω cm n 型和 p 型硅片上分别获得极低的上限有效表面复合速度 (Seff.max)，分别为 5.6 和 7.4 cm/s id="">x）薄膜在工业在线等离子体增强化学气相沉积（PECVD）反应器中动态沉积。 SiNx 薄膜在空气中具有优化的抗反射性能，在高温 (>800 °C) 工业烧制后可提供出色的 Seff.max 9.5cm/s。 如此低的Seff.max值以前只有在实验室反应器中静态沉积或经过优化退火后的SiNx薄膜才能实现； 然而，在我们的案例中，SiNx 薄膜使用完全工业化反应器动态沉积到大面积c-Si 晶圆上，并在沉积状态和工业烧制后提供出色的表面钝化结果，这是光伏行业广泛使用的工艺。 非接触式电晕电压测量表明，这些 SiNx 薄膜含有相对较高的正电荷 (4–8) × 1012 cm−2 以及相对较低的界面缺陷密度 (~5 × 1011 eV−1 cm−2。 版权所有 © 2012 约翰威利公司 儿子有限公司
