采用非接触式电晕开尔文计量的铁电 HfO2 薄膜测试和全晶圆测绘

这里，埃德尔曼等人。 （文章号 201700249）展示了使用非接触式电晕开尔文计量技术在监测薄膜铁电特性方面取得的突破。 正如硅掺杂 HfO₂ 薄膜的结果所证明的，该方法能够实现非接触式实时薄膜表征，而无需制造传统方法中使用的电容器测试结构。 所提出的方法引入了一种基于电晕电荷的铁电薄膜极化方法。 结合表面电压特性的开尔文探针测量，该技术可以实现磁滞的非接触式监测。 这种电荷电压磁滞回线和介电常数磁滞显示在封面图像上。 结果证明了 3.5mol% Si:HFO₂ 薄膜中的铁电行为和 11.3 mol% Si:HFO₂ 薄膜中的非铁电行为。 该方法的一个非常重要的优势是用于均匀铁电 HfO₂ 薄膜工程的全晶圆映射。 图像上的图显示了 Si:HFO₂ 薄膜中的表面电压图案，它反映了 TiN 覆盖层蚀刻后的层流湿台流动图案。