通过磷离子注入和退火去除无意污染的硅片

发布到: Solid-State Phenomena, Vols. 69-70, pp. 291-294.

年: 1999

作者: M. Yli-Koski, J. Mellin, V. Ovchinnikov

GetteringPhosphorous Ion ImplantationSilicon (Si)surface photovoltage

在本文中，我们提出了对非国际污染的吸杂的研究。磷离子注入层用作吸气剂。 SPV-和μ-PCD-测量结果表明吸杂效率与离子注入剂量相关。 5e15 cm^-2的剂量足以有效吸收。