通过 DLTS 和扫描红外显微镜研究硅中与钼相关的深层能级和析出物

我们报告了使用傅里叶变换深能级瞬态光谱 (FT-DLTS) 和扫描红外显微镜 (SIRM) 等实验技术研究的钼 (Mo) 扩散硅的特性。 使用硼掺杂浮区 (1 0 0)Si 晶片 (100–400 Ω cm) 制备样品，通过将 Mo 粉末放置在 Si 表面 上并在真空 (8×10⁻⁶ Torr) 中在 400 至 800°C 1-10 小时。 FT-DLTS 测量表明，只有当 Mo 扩散到 650°C 阈值温度以上时，样品中才会形成由 Mo 引起的深能级 (E_v+0.29 eV）。 SIRM 成像显示，在表面区域附近存在密度为 2.3×10⁷–5.8×10⁹ cm⁻³ 的 Mo 相关析出物，以及密度为 1.2×10⁷–1.1×10 ^{的铁相关析出物。 id="">8}，深度为 30 μm。 研究发现，沉淀物尺寸与扩散温度密切相关，根据散射光强度计算得出，其范围在 50 至 100 nm 之间。 研究发现，少数载流子寿命随着扩散过程期间无意合并的铁陷阱密度的增加而缩短。

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