电晕带电介电表面的开尔文力显微镜表征

基于电晕开尔文的技术已被用作 MOS 和肖特基势垒电容电压 (CV) 测量的非接触式、免准备替代品。 它可以量化介电和界面特性，例如介电电容和电气厚度 [1 4]、界面态密度 [2 4] 以及介电质上的泄漏 [2 6]。 传统上，大点电晕-开尔文方法应用于具有覆盖介电层的无图案监控晶圆[2,4,5]。开尔文探针和电晕沉积区域的小型化已被引入，将电晕-开尔文计量扩展到产品（即图案化）硅IC晶圆上的小光点测量，特别是划线测试位置，尺寸为100 µm × 100 µm 或更小 [4, 7]。 采用约 10 µm 探针的改良开尔文力显微镜 (KFM) 进行表面电位测量，同时通过采用带静电离子聚焦的小孔径电晕枪将电晕沉积直径减小到 100 µm 以下[7]。