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介绍了一种非常有效的方法来改进传统 µ-PCD 寿命测绘技术在大块光伏级硅材料(锭、块)中的应用。 记录的光电导衰减曲线的形状受到用于产生电子空穴对的激光的特性的强烈影响。 将原始激光器配置替换为优化设置,可以减少表面复合的影响,从而显着延长可测量的衰减时间。 它可以更好地表征硅砖的优质部分的载流子寿命。 此外,与类似技术不同,μ-PCD 的建议实现可沿整个硅砖提供相对均匀的测量注入水平。 实验和模拟结果非常吻合,证实了升级后的μ-PCD技术的适用性增强。