在重组多孔硅上生长的附着外延层和分离外延箔的寿命测量显示整体寿命超过 100 μs

本文讨论了外延层可靠的寿命测量以及随后体和表面复合元件的去耦的持续努力，无论是当它仍然附着在其生长的 p+ 衬底上时（“附着的外延层”）还是在它与衬底分离后（“分离的外延层”）。 对于“附着的外延层”，微波光电导衰减（^-PCD）和模拟辅助光致发光（sim-PL）与外延层厚度的变化一起应用，以评估p型外延层的体寿命（Tbulk）和总有效表面复合速度（Stot）。 通过对有效寿命倒数与外延层厚度倒数数据进行线性拟合，可靠地提取了所有样品的 Stot，在外延层/衬底界面处不存在多孔硅的情况下，Stot 为～265 cm/s，而存在多孔硅时为～9220 cm/s，在被薄背表面场屏蔽时为～775 cm/s。 根据这些 Stot 值，使用 sim-PL 估计多孔硅区域中的 Tbulk 约为 160 |us。 对于n型“分离的外箔”，使用准稳态光电导（QSSPC）。 然而，尽管 Stot 较低，但由于 Tbulk 太高，无法提取可靠的 Tbulk。 然而，Tbulk的下限估计为＞138μs。 如此高的体寿命意味着体扩散长度比外延层厚度长一个数量级，可能会带来高电池效率。