硅的纳米压痕

由于压力诱导硅相变引起的加载曲线异常效应，单晶硅样品的纳米压痕行为近年来受到了广泛关注。 为了进一步阐明这一现象，通过纳米压痕和原子力显微镜对块体、离子注入的单晶硅样品进行了研究。 采用P+离子在40KeV加速电压和80个/cm2剂量下对硅片进行注入，影响硅材料表面浅层的缺陷密度和结构。 我们的实验提供了用伯科维奇压头、球角压头和立方角压头测量的杨氏模量和硬度数据，加载和卸载过程中弹出和弹出效应的统计数据，以及有关硅材料堆积行为的有趣结果。

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