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由于压力诱导硅相变引起的异常载荷效应，单晶硅样品的纳米力学性能近年来受到广泛关注。 为了进一步阐明这一现象，通过纳米压痕实验和原子力显微镜 (AFM) 对块体、离子注入的单晶硅样品进行了研究。 采用40KeV能量的P离子对硅片进行注入，影响硅材料表面浅层的缺陷密度和结构。 我们的实验对样品的杨氏模量和硬度（用伯科维奇压头、球角压头和立方角压头测量）提供了一致的评估，压痕过程中弹出和弹出效应的统计数据，以及有关硅材料堆积行为的有趣结果。 还在循环压痕实验中通过计算负载曲线中磁滞回线的面积来评估样品的塑性功。 版权所有 © 2008 约翰威利公司 Sons有限公司
