通过改进的 µ-PCD 技术鉴定外延层和界面特性

微波光电导衰减 (μ-PCD) 和表面光电压 (SPV) 技术被证明是鉴定半导体块体材料的有力方法。 它们最适用于材料质量均质的标准晶圆。 然而，这两种方法在测量外延层 (epi) 晶圆或绝缘体上硅 (SOI) 结构时都有其局限性。 在其传统实现中，SPV 测量受到有源层厚度的限制。 另一方面，在高掺杂衬底上生长的外延层通常不会在 μ-PCD 测量中产生足够高的信号。

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