使用微波光电导衰减定量氧化 p 型硅片中的铜测量

我们提出了一种使用微波光电导衰减 (⁠μ-PCD) 技术来测量 p 型硅中痕量铜污染的方法。 该方法基于间隙铜的沉淀，由高强度光激活，从而增强少数载流子复合活性。 通过将 μ-PCD 测量与瞬态离子漂移和全反射 X 射线荧光测量进行比较，我们表明增强的复合率与 Cu 浓度之间存在定量相关性。 结果表明该方法能够测量低至 1010cm−3⁠的 Cu 浓度。 如果在氧化的晶片表面上使用电晕电荷，则晶片的存储时间没有限制，因为电荷可以防止铜向外扩散。 我们简要讨论了氧化物沉淀物在铜沉淀和载流子复合过程中的作用。