单晶硅锭寿命表征的瞬态方法

我们开发了自己的光电导衰减 (PCD) 寿命测量装置，针对高载流子寿命单晶硅锭进行了优化。 涡流技术用于感测光电导的变化，而 980nm 长脉冲激光则负责产生多余的电荷载流子。 该系统能够记录沿着锭的线罐。 在载流子扩散长度长的情况下，由于表面的复合以及载流子向体的连续扩散，所记录的瞬态的形状不是指数的。 它使得通过应用分析公式或模拟来正确提取整体寿命变得困难。 基于现象学方法，我们提出了一个简单的经验公式来拟合记录的光导衰减曲线。 拟合函数的指数衰减分量与载流子寿命相关。 结果表明，提取的载流子寿命对样品中的金属污染很敏感，此外，提取的曲线与样品的表面条件无关。 因此，该方法快速、简单、可靠，适用于工业质量控制协议。