薄膜SiGe:B層におけるメトロロジー技術の組み合わせの利点

本論文は、ボロンドープされた薄膜シリコンゲルマニウム（SiGe）エピタキシャル層の総合的なメトロロジーを改善するために技術を組み合わせることの利点を評価する研究を紹介します。特別に設計されたウェーハセットを加工し、異なるインラインメトロロジーツールおよび特性評価技術で測定しました。本研究は、層のドーパント濃度およびGe組成を信頼性高く測定するためのメトロロジー技術の最適な組み合わせ戦略を記述しています。複合メトロロジーが製造および開発環境において重要な改善をもたらすことを実証しました。