高スループットインラインSiウェーハ検査における定量的せん断応力イメージング

欠陥検査手法は、電子チップ製造および半導体産業におけるパワーデバイス製造プロセスの基本的なステップです。応力誘起光弾性異方性に基づき、単結晶シリコンウェーハにおいて、インライン偏光応力イメージング（PSI）および局所せん断応力成分の定量的決定が可能です。以下では、このような偏光応力画像を、異なる3D弾性モデルに基づく有限要素シミュレーションの結果と比較し、定量的に検証します。本定量的応力イメージング研究では、300 mmウェーハサイズに対して高スループットでの高分解能が独自に達成されています。