パワーデバイス特性評価のための分析ツール
著者: H-J. Schulze, A. Frohnmeyer, F-J. Niedernostheide, B. Simmnacher, B.O. Kolbesen, P. Tüttő, T. Pavelka, G. Wachutka
トピック: transition metals; contamination; carrier lifetime; silicon defect density
DLS-1100は、半導体のR&Dおよび製造環境向けに設計されたハイエンドDLTSシステムです。精密な温度制御のための外部クライオスタットを搭載し、最高クラスの感度、完全自動化、高度なカスタマイズ性を備えており、製造ラボ、ファウンドリ、高スループット研究施設に最適です。
DLS-1100 深準位過渡分光法
著者: H-J. Schulze, A. Frohnmeyer, F-J. Niedernostheide, B. Simmnacher, B.O. Kolbesen, P. Tüttő, T. Pavelka, G. Wachutka
トピック: transition metals; contamination; carrier lifetime; silicon defect density
著者: L. Quattropani, K. Solt, P. Niedermann, I. Maggio-Aprile, O. Fischer, T. Pavelka
トピック: Schottky diode; RF plasma treated silicon
著者: C.A. Londos, T. Pavelka
トピック: DLTS; GaAs
著者: D.A. Ramappa, W.B. Henley
トピック: diffusion; iron; silicon dioxide
著者: Homogeneous Transparent Conductive ZnO:Ga by ALD for Large LED Wafers
トピック: GZO; Atomic layer deposition; TCO; Rapid thermal annealing; LED
著者: T. Pavelka and G. Ferenczi
トピック: Thermal emission; deep trap
著者: B. Sandhu, T. Ogikubo, H. Goto, V. Csapó, T. Pavelka
トピック: DLTS; SIRM; Silicon (Si); Mo; Fe; deep levels; carrier lifetime
著者: A. Bertuch, K. Steeples
トピック: NIST traceable; surface photovoltage; standard; reference wafer; Electric measurements; Electrical resistivity; Metrology; Epitaxy; Silicon (Si)
著者: Zsolt Kovács, Csanád Ö. Boros, Teodóra N. Kovács, Zsolt Kovács, ZoltánT. Kiss
トピック: optical inspection; Silicon (Si); POLARIZED INFRARED IMAGING; VISUAL INSPECTION
著者: T. Pavelka and B. Hemm
トピック: Microwave Absorption Spectroscopy
著者: O. Engström, M.Kaniewska, W.Jung, M.Kaczmarczyk
トピック: Deep level transient spectroscopy; quantum dots; tunneling; conduction bands; electric field