パワーデバイス特性評価のための分析ツール

パワーデバイスは、高抵抗率で大面積の電気的に活性な厚いn型シリコン層を必要とするため、その電気特性は汚染に対して極めて敏感です。デバイス製造に必要な高温工程中に遷移金属がウェーハ内に拡散すると、漏れ電流およびオン状態電圧の制御不能な増加が観察されます。さらに、電流フィラメンテーションや電気データの不安定性が発生する可能性があります。n-ベースの低ドーピングレベルの結果として、阻止電圧および宇宙線による故障率は、ドナーまたはアクセプターとして作用する汚染原子の影響を受けます。汚染の原因と程度に関する情報を得るために、各高温工程後に汚染検査を実施しました。さらに、パワーデバイスの典型的な動作条件におけるキャリアライフタイムの温度および注入レベル依存性を分析しました。これらの結果は、汚染およびシリコン欠陥密度を可能な限り低く抑え、十分な安定性を持つ良好な電気データを確保するための方法を見出す上で重要であることが証明されました。© 2000 The Electrochemical Society. All rights reserved.

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