DLS-83Dは、半導体ウェーハにおける電気的に活性な欠陥（深準位トラップ）および不純物の高感度特性評価・同定を目的としたコンパクトな卓上型深準位過渡分光法（DLTS）システムです。大学、材料科学研究センター、先端R&Dラボに最適で、省スペースながら精密で信頼性の高い測定を提供します。
DLS-83D 深準位過渡分光法
著者: Mikio Fukuhara, Tomonori Yokotsuka, Tetsuo Samoto, Masahiko Kumadaki, Mitsuhiro Takeda, Toshiyuki Hashida
トピック: Hall effect measurements; Materials science; Organic contamination; semiconductor; semiconductor materials; Semiconductor Devices; NANO HARDNESS; PDL Hall
著者: H-J. Schulze, A. Frohnmeyer, F-J. Niedernostheide, B. Simmnacher, B.O. Kolbesen, P. Tüttő, T. Pavelka, G. Wachutka
トピック: transition metals; contamination; carrier lifetime; silicon defect density
著者: L. Quattropani, K. Solt, P. Niedermann, I. Maggio-Aprile, O. Fischer, T. Pavelka
トピック: Schottky diode; RF plasma treated silicon
著者: M. Wilson, J. Lagowski, L. Jastrzebski, A. Savtchouk, V. Faifer
トピック: COCOS; Dielectrics; Semiconductor device characterization; Dielectric thin films; Electric measurements; Contact potential
著者: D.K. Schröder
トピック: Silicon (Si); Electric measurements; Metal–insulator–semiconductor structures; Surface and interface states; Contact potential; Work function; Epitaxial silicon
著者: C.A. Londos, T. Pavelka
トピック: DLTS; GaAs
著者: D.A. Ramappa, W.B. Henley
トピック: diffusion; iron; silicon dioxide
著者: D. Huber, P. Eichinger, G. Ferenczi, T. Pavelka, G. Veszely
トピック: Microwave transient spectroscopy; deep levels; semiconductor
著者: T. Pavelka and G. Ferenczi
トピック: Thermal emission; deep trap
著者: B. Sandhu, T. Ogikubo, H. Goto, V. Csapó, T. Pavelka
トピック: DLTS; SIRM; Silicon (Si); Mo; Fe; deep levels; carrier lifetime
著者: T. Pavelka and B. Hemm
トピック: Microwave Absorption Spectroscopy
著者: O. Engström, M.Kaniewska, W.Jung, M.Kaczmarczyk
トピック: Deep level transient spectroscopy; quantum dots; tunneling; conduction bands; electric field
