半導体における深い準位の分散型マイクロ波過渡分光法

深い準位から捕獲されたキャリアの熱放出の検出は、半導体中の電気的に活性な不純物に関する情報を得る最も感度の高い方法と考えられています。熱放出のプロービング能力を向上させるため、マイクロ波検出技術を開発しています。本論文では、マイクロ波検出システムの動作に関する理論的記述と実験的検証について報告します。この測定技術の欠陥研究における可能性を、Si:Se⁰系の測定を用いて示します。