InAs/GaAs量子ドットからの熱電子放出およびトンネル電子放出の三次元マッピング

温度、印加サンプル電圧、およびDLTS信号で構成されるパラメータ空間における深い準位過渡分光法（DLTS）データの三次元表現を用いて、量子ドットの複雑な基本特性セットを解釈する方法を実証しました。InAs/GaAs量子ドットの実験結果を、同じパラメータ空間で提示された理論計算と比較しました。このような比較から、キャリアトンネリングと熱放出が支配的な異なる領域、およびそれらの混合領域を特定でき、この種のシステムからの複雑な放出データを構成要素に分解することが可能になります。