マイクロ波吸収分光法（MAS）により測定されたSe°の捕獲断面積の温度依存性

マイクロ波吸収分光法（MAS）[1]の改良された実験装置を用いて、深い準位の熱放出速度および捕獲断面積を測定する温度範囲を大幅に拡大することができました。この技術の能力は、n型SiにおけるSe°準位で実証されており、捕獲断面積は従来報告されていた最高温度250K [2]と比較して350Kまで測定されました。
高温データは、捕獲断面積の温度依存性を記述する理論と比較されています。