RFプラズマ処理シリコン上のショットキーダイオードのバリスティック電子放出顕微鏡観察

PtSi/n-Si(100)ダイオードを、一部のSi基板に事前に強力なプラズマクリーニングを施した上で、Ptのスパッタ堆積により作製しました。サンプルをI–V測定、深準位過渡分光法、およびバリスティック電子放出顕微鏡法（BEEM）により調査しました。強力なプラズマクリーニングの結果、I–VおよびBEEMの両方で、非常に軽度なプラズマクリーニングを行ったサンプルと比較してショットキー障壁が約0.2 eV大幅に低下していることが示されました。鏡像力補正と金属/半導体界面を通したトンネリングを考慮したBEEMスペクトルのモデルを提示します。これらの効果は、プラズマクリーニングにより導入されたドナー型欠陥による界面近傍の高電界に起因します。

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