一軸応力下におけるバルクGaAs中の深い準位のDLTS調査

本研究は、n型バルクGaAs中のEL2、EL3およびEL6準位に対する一軸応力DLTS測定を報告する。応力は（111）軸に平行であった。欠陥状態EL6は1.5 kbarまでの応力の影響を受けないと思われる。EL2は1.3 meV kbar^-1の圧力係数を示す。EL3は低応力（2.8 meV kbar^-1）および高応力（4.6 meV kbar^-1）の圧力係数を示す。これらの結果は、文献で以前に報告されたデータと関連して議論される。EL3準位の放出速度の異常な電界依存性についても報告する。

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