수은 프로브 정전용량-전압 및 전류-전압을 이용한 AlXGa1−XN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 구조의 특성 분석
저자: Eric Tucker, Frank Ramos, Samuel Frey, Robert J. Hillard, Péter Horváth, Gyula Zsákai, Attila Márton
주제: dielectric characterization; dielectric charge; MERCURY C-V PROFILING; 2DEG sheet charge; pinch-off voltage; mercury gate
