제품 정보 및 가격 문의
연구 요구에 맞춘 전문가 상담과 맞춤형 솔루션을 받아보세요
n형 In0.83Ga0.17As 3원 합금의 캐리어 산란 및 이완 역학은 온도 의존적 전자 홀 이동도와 도핑 밀도에 따른 정공 수명 측정을 통해 분석합니다. 저농도 도핑된 In0.83Ga0.17As에서 온도 구간별 지배적인 산란 메커니즘은 T < 80 K에서는 불순물 산란, 80 < T < 120 K에서는 합금 무질서 산란, 120 < T < 300 K에서는 포논 산란으로 각각 나타나는 반면, 고농도 도핑된 0.83Ga0.17As에서는 전체 측정 온도 범위에 걸쳐 합금 산란이 지배적으로 나타납니다. 측정된 온도 의존적 캐리어 수명을 피팅함으로써, 저농도로 도핑된 In0.83Ga0.17As에서 지배적인 캐리어 이완 메커니즘이 각각 InP 기판과 GaAs 기판 위에서 성장된 시료에 대해 방사 재결합과 Shockley–Read–Hall 효과임이 확인되었습니다. 고농도로 도핑된 In0.83Ga0.17As의 캐리어 수명은 10 ns 이하이며, Auger 재결합이 지배적인 것으로 나타났습니다. 마지막으로, 광발광 및 광흡수 측정을 수행한 결과, 성장된 저농도 도핑 In0.83Ga0.17As는 격자 정합된 In0.53Ga0.47As에 필적하는 높은 광학적 품질을 갖는 것으로 확인되었습니다.
